基本情報 平成21年度 春期 問22：テクノロジ系に関する問題

答えは a です。

DRAMは「電気のバケツ」と思ってください。バケツに水（電気）が入っていれば「1」、空なら「0」を表します。

ただしバケツに穴があいているので水（電気）が抜けてしまう→定期的に水を入れ直す作業（リフレッシュ）が必要です。

これが「コンデンサに電荷をためて0/1を表す」ということ。値段が安く大容量にできるので、パソコンのメインメモリ（主記憶）に使われています。

👉 覚え方：「Dynamic（動的）=リフレッシュが必要」のDRAM。

ほかの選択肢：b マスクROM（製造時書込み）／c EPROM（紫外線で消去）／d SRAM（速いがお高い、キャッシュ用）。

なぜこれが正解か

正解は a。DRAM（Dynamic RAM）は1ビットを1個のキャパシタ（コンデンサ）と1個のトランジスタで構成し、コンデンサに電荷が蓄えられているか否かで0/1を表現。構造が単純なため高集積・低コスト化が容易で、PCやサーバの主記憶（メインメモリ）に使われる。電荷は時間とともに漏れて消えるため、定期的にデータを書き直すリフレッシュ動作が必須。

各選択肢の解説

• b：「製造時にデータが書き込まれる、マイクロプログラム格納用」=マスクROM。
• c：「専用装置で書込み、紫外線で消去」=EPROM（Erasable PROM）。
• d：「フリップフロップで構成、高速、キャッシュ用」=SRAM（Static RAM）。

覚え方・ひっかけ注意

DとSの対比：Dynamic=動的（リフレッシュ要・遅い・安い・大容量）／Static=静的（リフレッシュ不要・速い・高い・小容量）。「主記憶=DRAM、キャッシュ=SRAM」のセットで覚える。

理論的背景

DRAMは1セル=1T1C構造（1トランジスタ+1キャパシタ）で集積度が極めて高い。アクセスは「行（ロウ）選択→列（カラム）選択」の2段階で、これを高速化したのがSDRAM（同期式：CLK同期）→DDR SDRAM（Double Data Rate：CLKの立上り/立下り両方でデータ転送）。現在の主流はDDR5で、メモリ帯域は6400MT/s超。リフレッシュはおおむね64ms以内に全行を書き直す必要があり、リフレッシュ中はアクセス不可になるためメモリコントローラが分散制御する。

実務での使われ方

DRAM市場はSamsung・SK hynix・Micronの3社寡占。GPU向けには高帯域版HBM（High Bandwidth Memory：DRAMダイを縦に積層しシリコン貫通電極TSVで接続）が生成AI需要で爆発的に伸びている。サーバ向けにはECC RAM（誤り訂正符号付き）が標準。SRAMはCPUのL1〜L3キャッシュに使われ、近年は3D V-Cacheなど積層化が進む。

試験での位置づけ

FE科目Aで毎回1〜2問はメモリ系（DRAM/SRAM/ROM種別、キャッシュ階層、リフレッシュ動作）が出る最頻出領域。応用情報・エンベデッドシステムスペシャリストでは不揮発性メモリ（NOR/NANDフラッシュ、3D NAND、MRAM/ReRAM）との比較、組込み用途の選定が問われる。

選択肢の発展補足

ROM系統の整理：マスクROM（製造時書込み・書換不可）→PROM（一度だけ書込可）→EPROM（紫外線消去）→EEPROM（電気的消去・バイト単位）→フラッシュメモリ（電気的消去・ブロック単位、NAND/NOR）。書換可能回数（耐久性）と読出/書込速度の特性差を押さえると、SSDのウェアレベリングなど応用問題に対応できる。