基本情報 平成22年度 秋期 問24：テクノロジ系に関する問題

答えは c です。

フラッシュメモリは、USBメモリやSDカード、SSDの中身。電気だけで読み書き・消去ができて、電源を切ってもデータが消えません。消すときは「ブロック」というかたまりごと一気に消す仕組みです。

👉 覚え方：「フラッシュ＝一気に消す」（カメラのフラッシュみたいにバッ！と）。

ほかの選択肢：a 1回だけ書ける（PROM）／b 定期的に書き直す（DRAM）／d 紫外線で消す（UV-EPROM）——どれも別のメモリの話。

なぜこれが正解か

正解は c。フラッシュメモリは電気的に書込み・消去ができる不揮発性メモリで、消去はバイト単位ではなくブロック単位（数KB〜数MB）で一括して行うのが特徴。電源を切ってもデータが保持される。USBメモリ・SDカード・SSD・スマホの内蔵ストレージなどに広く使われる。

各選択肢の解説

• a：1回だけ書込みできるのはPROM（OTP ROM）。
• b：リフレッシュ動作が必要なのはDRAM。フラッシュは不要。
• d：紫外線消去はUV-EPROM（窓付きROM）。現在はほぼ使われない。

覚え方・ひっかけ注意

「フラッシュ＝閃光＝一瞬・一括」とイメージ。書込みはバイト単位／消去はブロック単位という非対称性が頻出ポイント。書込み前に必ずブロック消去が必要で、書き換え回数に上限（数万〜数百万回）がある点も押さえる。

理論的背景

フラッシュメモリはフローティングゲートMOSFETを記憶素子とし、絶縁層に電子を蓄えて状態を保持する。書込みはホットエレクトロン注入またはFNトンネリング、消去はFNトンネリングで電子を引き抜く。構造の違いでNAND型（高密度・順次アクセス向き）とNOR型（ランダムアクセス可・コード実行向き）に大別される。

実務での使われ方

SSD・スマホストレージはNAND型。SLC/MLC/TLC/QLCの順で1セルあたりのビット数が増え、容量単価は下がるが書換え寿命が短くなる。寿命対策としてウェアレベリング（書込みを均等分散）、ガベージコレクション、TRIMコマンドを組み合わせる。コントローラがFTL（Flash Translation Layer）で論理アドレスを物理アドレスに動的マッピングする。

試験での位置づけ

基本情報のハードウェア分野で必出。ROMの種類（マスクROM・PROM・EPROM・EEPROM・フラッシュ）の系譜を整理して覚える。応用情報ではFTLやSSDのアーキテクチャ、データセンタでの活用（NVMe・3D NANDなど）が問われる。

選択肢の発展補足

DRAM（リフレッシュ必要）とSRAM（リフレッシュ不要・キャッシュに使用）の区別、EEPROMとフラッシュの違い（EEPROMはバイト単位消去可、フラッシュはブロック単位）も同時に整理しておくと安全。近年は3D NAND・QLC化で大容量化が進む一方、書換え寿命対策の重要性が増している。